Ions; Metals; Hysteresis; Tunneling; Nanoscale devices; Current-voltage characteristics;
机译:纳米肖特基MOSFET作为谐振隧穿器件的性能评估:非平衡格林纳函数形式
机译:纳米级MOSFET中隧穿栅极电流的非平衡建模
机译:具有纳米尺度结构不均匀性的锰矿的隧穿光谱
机译:纳米级隧道与锰接触时的非平衡效应
机译:理解金属/半导体肖特基接触的电性能:块体和纳米级结构中势垒不均匀性和几何形状的影响。
机译:纳米级并联电触头的二维隧穿电阻传输线模型
机译:调查旋转和电荷的纳米级变化 ud使用 ud。在锰氧化物和有机半导体中的运输自旋极化扫描隧道谱
机译:Cuparate / manganite异质结构中自旋极化准粒子注入效应的隧道谱研究