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蔡纯;
中国电子学会;
锰氧化合物; 平面隧道结; 自旋极化隧道效应; 赝能隙;
机译:由于相干自旋极化隧道效应,在全外延Fe / MgO / Fe隧道结中室温下的高隧道磁阻
机译:磁场作用下铁磁/绝缘子(半导电体)单,双隧道结中的自旋极化隧道效应和磁阻
机译:氧吸附驱动Co / Al_2O_3 / Co隧道结中的正自旋极化
机译:使用全包合金Co {Sub} 2CR {Sub} 0.6FE {Sub} 0.4AL薄膜和MgO隧道屏障在完全外延磁隧道结中的高度自旋极化隧道隧道。
机译:磁性隧道结中的自旋极化电流现象。
机译:AlOx隧道势垒在磁性隧道结中的近藤效应
机译:磁性隧道结中Co /氧化铝界面的自旋极化和势垒氧化效应
机译:化学生物动力学部,光合机构中锰的状态,I。叶绿体和二氧代桥联二锰模型化合物的EXaFs研究。
机译:垂直于层平面具有高自旋极化的薄层磁性设备,以及使用此类设备的磁性隧道结和自旋阀
机译:具有垂直于层平面的自旋极化的薄层磁性器件,以及使用该器件的磁性隧道结和自旋阀
机译:垂直于层平面具有强自旋极化的薄膜磁性器件,磁性隧道结和使用这种器件的自旋阀
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