単分子強誘電メモリの実現を目指して

摘要

ビッグデータ活用やI oT産業の活性化が進む中，大容量ストレージへの需要は日々高まっている。一方で不揮発性メモリの記録密度は，熱揺らぎによる情報記録消失の問題から（超常誘電?超常磁性問題),既に頭打ちの状況にあり，解決の糸口さえ掴めない難題として立ちはだかつている。この様な背景の中，我々は単一分子で強誘電的な振舞いを示す「単分子誘電体(Single-Molecule Electret, SME)」の開発に成功した。この「単分子誘電体」をメモリ素子として応用できれば，既存の情報記録密度を1000倍以上も上回る次世代記録媒体に繋がるものと期待される。