ポリマーブレンド溶液を用いた静電スプレー堆積法によるフレキシブルOFET の作製

摘要

我々はこれまでに，roll to roll 工程に応用が可能な静電スプレー堆積(ElectrostaticSpray Deposition: ESD)法を用いてSiO_2/Si 基板上にTIPS pentacene/PS ブレンド膜を堆積し，低分子半導体とポリマー絶縁膜の急峻な垂直方向相分離により非常に優れたトランジスタ特性が得られていることを報告している．そこで今回，フレキシブルなPEN 基板を用いて，ブレンド膜を直接ゲート電極上に堆積し，フレキシブルOFET の作製を試みた．本発表では，作製したデバイスのトランジスタ特性および曲げ特性の評価を行ったので報告する．