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【24h】

SiC(0001)傾斜基板に現れるナノファセット傾斜角度のマジックアングル

机译:SiC(0001)纳米宽度倾斜角度出现在倾斜基板上的魔法角度

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摘要

傾斜SiC(0001)はSiC-MOSFETにおいて汎用的に用いられている.しかしながら,オフ基板表面パラメータであるオフ角度,オフ方向を変化させた場合の表面構造についての系統的な研究はほとhどない.また,ポリタイプを有するSiC特有の周期的(ナノ)表面構造やその周期化距離[2]などの表面現象が観察されていることからも興味深い.本発表では,傾斜角度4, 15度,傾斜方向[1-100]の6H-SiC(0001)の表面構造観察を行った結果を報告する.
机译:倾斜的SiC(0001)通常在SiC-MOSFET中使用。然而,当脱离基板表面参数时,对表面结构的系统研究,脱离基板和截止方向改变时的表面结构。它也很有趣,因为观察到具有具有聚贸易和常距的SiC特定周期(纳米)表面结构的表面现象[2]。在该介绍中,报道了观察倾斜角4,15度和倾斜方向的6H-SiC(0001)的表面结构观察结果[1-100]。

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