ハロゲン化鉛ペロブスカイトのアンチストークス発光とレーザー冷却

摘要

ハロゲン化鉛ペロブスカイト半導体は低コストかつ高効率でフレキシブルな光デバイス材料として活発に研究されている。ペロブスカイト半導体は、直接遷移に起因する鋭い吸収と高効率でストークスシフトのないバンド間発光によって、特に光学的に厚い単結晶では、発光と再吸収を繰り返すフォトンリサイクリングといったユニークな光学現象を引き起こす。このような光学現象を深く理解することにより、新しいデバイスの開発も可能となる。