多光子励起フォトルミネッセンスによる格子不整合系逆成長InGaAs単一接合太陽電池のバッファ層内における転位の観察

摘要

次世代の宇宙用太陽電池として期待されているInGaP/GaAs/InGaAs構造を有する格子不整合系逆成長3接合型太陽電池（IMM3J）の更なる高効率化を図るためには，InGaAs光吸収層に到達する貫通転位を減少させる必要がある．そのためにはGaAsミドルセルとInGaAsボトムセルの間に挿入するバッファ層内で歪緩和の際に発生するミスフィット転位が貫通転位となる機構を理解し，制御する必要がある．本研究では，IMM3Jのボトムセルである InGaAs の単一接合太陽電池を作製し，GaN 結晶中の貫通転位の三次元観察を可能とした多光子励起フォトルミネッセンス法（MPPL法）を応用して，そのバッファ層内におけるミスフィット転位の非破壊観察を試みた.