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李肖; 王向武; 黄子乾; 张岚; 潘彬;
中国电子学会;
太阳能电池; 晶体外延生长; 工艺技术; 热力学;
机译:在Si上的SiGe梯度缓冲层上生长的单结GaAsP太阳能电池
机译:在具有SiGe缓冲层的Si衬底上生长的单结InGaP / GaAs太阳能电池
机译:评估以接近15 A / s的速度生长的微晶硅材料作为单结和多结太阳能电池的i层材料的用途
机译:聚合物基太阳能电池中本体异质结材料的形态。
机译:体异质结的n型掺杂可实现17.1%的高效单结有机太阳能电池
机译:GaInP / Ga(In)As / GaNAsSb / Ge 4结太阳能电池生长过程中子电池和隧道结的降解
机译:使用siGe缓冲层在si衬底上生长的单结InGap / Gaas太阳能电池
机译:背面接触单异质结型太阳能电池的制造方法及背面接触单异质结型太阳能电池
机译:钢基合金和钢基合金之间以及高强度结合金中的无效钢基合金基础材料和钛或钛与高强度异种金属结的钛或钛基合金之间的钛或钛基合金基础材料方式和所述方式,结基合金包括:
机译:用于单结太阳能电池器件的带有薄膜金属氧化物的半导体材料
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