Charakterisierung zeitvarianter HF-lmpedanzen im Hinblick auf die EMV-Modellierung leistungselektronischer Systeme

摘要

Zukunftige leistungselektronische Systeme werden von dem Einsatz von Wide-Bandgap-Halbleitern wie Siliciumcarbid (SiC) oder Galliumnitrid (GaN) profitieren. Gegenuber Silicium-Halbleitern sind deutlich gesteigerte Taktfrequenzen moglich, was sich positiv auf die Effizienz und den Bauraum der Systeme auswirkt. Aus Sicht der EMV stellen die sehr steilen Schaltflanken, die bei GaN-Leistungshalbleitern mehr als 100 kV/μs und 50 kA/μs betragen konnen, jedoch eine besondere Herausforderung dar. Haufig ist eine Modellie-rung des leistungselektronischen Systems u.a. hinsichtlich seiner HF-lmpedanz sinnvoll, um die Leistungselektronik und gegebenenfalls erforderliche EMV-Massnahmen bereits vor der Realisierung des Gesamtsystems optimal auslegen zu konnen. Hierdurch konnen der Designprozess verkurzt und Entwicklungskosten eingespart werden.