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高密度カーボンナノチューブフォレストを用いた櫛型電極の 開発と電気化学センサへの応用

机译:高密度碳纳米管林的梳理电极的开发及其在电化学传感器中的应用

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摘要

酸化還元反応を利用したラベルフリー電気化学セ ンサはシンプルかつ強力な分析手法であり,特にレ ドックスサイクルによる電流増幅を利用した櫛型電 極(Interdigitated Electrodes, IDE)は高い検出感度 を持つ。電極材料としてカーボンはAuやPtなど の金属と比較して電位窓が広いことや電子移動が速 いことを特長とし,レジストを1000°C程度の高温 で熱分解したカーボン電極を用いたIDEが報告さ れている[1]。一方でカーボンナノチューブ(Carbon Nanotube, CNT)は高い導電性,高い表面積とアス ペクト比を有し電極材料への応用が期待されている。 中でも化学気相成長(Chemical Vapor Deposition, CVD)による電極上への直接成長技術は,塗布によ る電極作製法と比較して,構造制御の容易さや接触 抵抗の低減などが期待できる。本研究では金属電極 上への高密度CNTの低温成長技術(約450 °C)[2,3] とUVリソグラフィを用いて,高感度な櫛型電極 の開発を目指した。
机译:使用氧化还原反应的无标签电化学传感器是简单且强大的分析方法,以及使用电流扩增的梳状电极(IDEgitated电极,IDE),特别是通过氧化还原循环,具有高的检测灵敏度。作为电极材料,碳的特征在于与诸如Au和Pt的金属相比的潜在窗口,并且电子转移快速,并且在高温下使用高温使用碳电极的IDE在约1000°的高温下使用碳电极C100℃的C.报道[1]。另一方面,碳纳米管(CNT)具有高导电性,高表面积和纵横比,并且施加到电极材料。其中,与通过施用的电极制造方法相比,通过化学气相沉积,CVD可以预期通过化学气相沉积的直接生长技术,可以易于结构控制和接触电阻的减少。在这项研究中,我们旨在使用低温生长技术(约450℃)[2,3]和UV在金属电极上的高密度CNT光刻进行高灵敏度梳状电极。

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