酸素空孔分布制御型4 端子メモリスタ素子の抵抗変化特性精密制御

摘要

ソフトウェア実装により大きな発展を遂げた人工知能技術に対して、ハードウェア面で脳型コ ンピュータに大きな期待が寄せられている。この実現には、脳内神経回路のシナプスの役割を模倣す る電気素子が必要であり、その候補としてメモリスタが注目されている。我々は、これまでにメモリス タ材料として抵抗変化（RS）現象を示すTiO2 に着目し、ルチル型TiO2(001)単結晶基板上に4 端子平面 型素子を作製して、酸素空孔分布状態とRS 特性の相関を評価してきた[1]。今回、同素子構造において 対向2 端子でもう一対の対向2 端子間の酸素空孔分布を制御し、電圧印加プロトコルを最適化するこ とによりRS ヒステリシス特性の精密制御を実現した。