放射光トポグラフィーによる溶液法ウエハ上への エピ成長過程における転位伝播挙動の評価

摘要

これまで我々は、溶液成長法によって基底面転位(Basal Plane Dislocation: BPD)を含 まず、TSD(Threading Screw Dislocation: TSD)密度が極めて低い超高品質4H-SiC 4°オフウエハを 作製してきた [1-3]。今回は、パワーデバイスにおいて重要なプロセスである、溶液法オフウエハ 上へのCVD エピタキシャル成長過程におけるBPD およびTSD の伝播挙動について報告する。