放射光トポグラフィーによる溶液法ウエハ上へのエピ成長過程における転位伝播挙動の評価

摘要

これまで我々は、溶液成長法によって基底面転位(Basal Plane Dislocation: BPD)を含まず、TSD(Threading Screw Dislocation: TSD)密度が極めて低い超高品質4H-SiC 4°オフウエハを作製してきた [1-3]。今回は、パワーデバイスにおいて重要なプロセスである、溶液法オフウエハ上へのCVD エピタキシャル成長過程におけるBPD およびTSD の伝播挙動について報告する。