ポリアザナフタレン骨格を有するニッケルジチオレン錯体触媒による水素生成反応とその機構

摘要

当研究室では、以前ピラジンジチオレン部位を有するニッケル錯体1 が比較的低い過電圧(330 mV)で水素生成を促進することを見出した1。また、プロトン共役電子移動(PCET) に基づく配位子中心の多段階還元過程が錯体触媒1 の低過電圧駆動を可能にしたと結論付けた。