RF マグネトロンスパッタ法で作製したTi_(0.9)Fe_（0.1）O_(2-δ)薄膜の電子構造とⅠ-Ⅴ 特性

摘要

TiO_(2-δ) 薄膜は、キャリアー元素の置換により、電気伝導性?磁性を有することから、透明電極やスピントロニクスへの応用が可能である。また、キャリアー?欠陥?格子制御により、電子伝導性に加え、イオン伝導性も発現するため、電気二重層トランジスターやメモリー素子への応用も期待されている。本研究ではRF マグネトロンスパッタ法により、結晶質?非結晶質(Amorphous)のTi_(0.9)Fe_(0.1）O_(2-δ) 薄膜を作製し、電子構造?電気特性の評価から、新たな知見を得たので報告する。