高周波デバイス応用に向けた酸化ガリウムトランジスタ開発

摘要

酸化ガリウム (Ga_2O_3)は、4.5 eVと非常に大きなバンドギャップに起因する物性から、現在パワーデバイス応用を目指した研究開発が盛hになってきている。しかしながら、その期待される応用分野は、パワーデバイスに限定されるものではなく、その他にも多岐に渡ると考えられる。現在、我々はパワーデバイス応用に向けたスイッチングデバイス開発とともに、無線通信デバイスとしての開発も同時に進めている。本講演では、Ga_2O_3の物性、材料的特徴について述べた後、パワーデバイスのみならず、Ga_2O_3トランジスタに適すると我々が考える高周波、極限環境（高温、放射線下など）エレクトロニクスといった応用分野について解説する。その後、現在までに我々のグループで開発した横型Ga_2O_3 MOSFETのDCデバイス特性、高周波デバイス特性、放射線耐性等について発表する。