HVO_2 チャネルを用いたトランジスタ構造の作製と 電界効果プロトン濃度制御による抵抗変調

摘要

二酸化バナジウム(VO_2)は室温近傍で金属-絶縁体転移(MIT)を引き起こす強相関電子系材料である。VO_2 への不純物ドープは電気輸送特性とMIT 温度を劇的に変化させるため、基礎物性、及び応用両面での研究が盛hである。特に、我々は電界効果によるプロトンドープによって抵抗変調させる新たなイオニックデバイスを創製してきた。