トップゲート型a-IGZO TFTにおけるハンプ現象

摘要

酸化物半導体であるアモルファスInGaZnO_4 (a-IGZO)は，高い電界効果移動度，高い一様成膜 可能性から，a-SiやLTPSに代わるアクティブマトリタス型ディスプレイのバックプレーンTFT 用途として注目されている。特にOLED用途の場合にはTFTの寄生容量が問題となり，そのTFT 構造は寄生容量を逆スタガ型よりも大幅に低減させられるトップゲート型が有力である。ゲート バイアス電圧ストレスに対するa-IGZO TFTの特性変動に関して様々な実験結果が報告されてき ており，Vg-Id曲線のsub-threshold領域にコブが生じるハンプ現象はその1つである。a-IGZOの ハンプ現象に対してこれまでにTFTのW端に起因するモデル,バックチャネルに起因するモ デルなどが提案されているが，トップゲート型TFTに対する研究は未だに少ない状況である。