Gallium nitride; MOSFET; Logic gates; Parasitic capacitance; JFETs;
机译:具有p-GaN埋入缓冲层的高击穿电压GaN垂直HFET的设计,用于电源开关应用
机译:与GaN HFET相比,GaN MOSFET的基本设计优势在于功率应用
机译:适用于使用GaN FET的服务器的高功率密度900W LLC转换器:在48 V至6 / 12 V转换器中实现更高的效率和功率密度
机译:比较和建模用于开关转换器应用的功率GaN FET
机译:采用CMOS和GaN技术的分布式MPPT的高度集成开关模式电源转换器。
机译:用于高速开关应用的三层石墨烯纳米带肖特基势垒FET的分析模型
机译:用于家用光伏应用的软开关和硬开关DC-DC升压转换器中硅MOSFET和GAN HEMT的评估