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光音響?発光同時計測による窒化物半導体の内部量子効率の絶対測定

机译:发光发光测量的氮化物半导体内部量子效率的绝对测量

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摘要

本研究では、正確な室温の内部量子効率の算出方法と して、PA/PL 同時計測法を提案した。この測定方法は、 輻射再結合により発生した「光」と非輻射再結合により 発生した「熱」を同時に直接観測する方法であり、相補 関係にある2つの要素から内部量子効率を算出するため、 従来の方法よりも正確に内部量子効率を算出できる。デ モンストレーションとして、InGaN 量子井戸試料に対し て実験を行った。比較のため、従来の手法のPL 強度の温 度依存性からも内部量子効率を見積もった。両者の結果 は大きく異なっており、極低温で内部量子効率が1 であ ると仮定する従来手法では必ずしも正しい内部量子効率 が求められないことがわかった。内部量子効率を正しく 見積もるためには、本研究での提案手法のように、輻射 再結合と非輻射再結合の双方を観測する方法を用いるこ とが望ましいと考えられる。
机译:在本研究中,我们提出了一种PA / PL同步测量方法,作为计算精确的室温内部量子效率的方法。该测量方法是同时观察由辐射重组产生的“光”和非放射重组产生的“热”,并以互补关系中的两个元素计算内部量子效率,可以更准确地计算内部量子效率在传统方法中。作为演示,在IngaN量子阱样品上进行实验。为了比较,从常规方法的PL强度的温度依赖性估计内部量子效率。两者的结果都是大的,并且发现常规方法不一定需要正确的内部量子效率,假设内部量子效率在低温温度下是1。为了正确估计内部量子效率,认为期望使用观察辐射重组和非放射重组的方法,如本研究所提出的方法。

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