首页> 外文会议>電子情報通信学会ソサイエティ大会 >9xx nm 帯高出力半導体ブロードエリアレーザダイオードの漸次劣化モードと劣化メカニズム
【24h】

9xx nm 帯高出力半導体ブロードエリアレーザダイオードの漸次劣化モードと劣化メカニズム

机译:9xx nm高输出半导体宽面积激光二极管耐光模式和劣化机构

获取原文

摘要

9xx nm 帯に発振波長をもつ高出力半導体レーザダイオード(LD)は,kW クラスの大出力ファイバーレーザやダイレクト光源など材料加工分野での用途において特に注目されている[1,2].光出力や電力変換効率の向上、および、長期動作における信頼性は依然として大きな関心事であり,これまでに我々が開発したLD についても,高出力での高信頼駆動,最大出力の向上とその制限メカニズム[3,4]などについて報告してきた.
机译:高功率半导体激光屈光度振荡波长在9xx nm频段中DODE(LD)是一款KW类大输出光纤激光器或模具特别是专注于材料处理领域的应用,例如直接光源[1,2]。光输出和电源转换效率改进,和长期操作的可靠性仍然是一个很大的关注点到目前为止,我们为我们开发的LDS具有高输出高可靠性驱动,提高最大输出及其限制机制[3,4]我们已经报道了它。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号