EBSD法を用いた変形集合組織解析/TSLソリューションズ

摘要

EBSD（電子線反射回折：Electron BackScatter Diffraction ）法（1）～（4）を用いた材料鵜織解析法が実用化されてから20年となるが、今日では結晶方位に基づいたミクロな材料組織解析あるいは集合組織解析の手法として無くてはならないものとして定着している。EBSD法では、走査電子顕微鏡（SEM）を利用し、試料を大きく傾斜させ電子線を照射することで発生するEBSDパターンを指数付けし、結晶方位を測定している。測定は1点1点行うため、当初は有意なデータを得るのに多大の時間を要した。しかし今日では検出器やパソコンの進歩により、1秒間に500点を超えるスピードで結晶方位の測定を行うことも可能となり、10～20分程度の測定でも十分に有意なデータを得ることが可能となった。このEBSD法はSEMを使用していることから、結晶方位情報をその測定点の位置情報と共に得ることができ、結晶方位を2次元的な分布（結晶方位マップ）として示すことができるという特徴がある。