CaTiO3セラミックスの絶縁破壊のメカニズムと Mn添加の効果

摘要

近年、低炭素社会の実現に向けて SiC パワー半導体デバイスの開発が進められている。それに伴い 受動部品の 1 つであるスナバコンデンサには高温で高い耐電圧性能が求められている。スナバコンデンサを 開発するためには、絶縁破壊機構を基に最適な材料を探索する必要がある。最近、亀裂進展理論を基にした Griffith モデルがバルクセラミックスの絶縁破壊機構を説明するために提案されている[1] 。一般的に絶縁破壊 強度は温度が上がるとともに小さくなることが知られている[2] が、Griffith モデルではこれを説明できない。 本研究では CaTiO3(CT)セラミックスの絶縁破壊機構を明らかにし、SiC パワー半導体デバイス用スナバコン デンサの開発への指針を示すことを目的とした。