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【24h】

(S2.1-S0085)AlGaN 系深紫外LED の最近の進展と今後の展望

机译:(S2.1-S0085)基于Algan的深紫外LED的最近进展和未来前景

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摘要

深紫外LED·半導体レーザ(LD)は、殺菌·浄水、皮膚治療などの医療、農作物病害防止、生化学産業、樹脂硬化成型、印刷、塗装、コーティングなど、幅広い分野での応用が考えられ、今後の大きな市場展開が期待されている。AlGaN 系半導体は、幅広い紫外波長(200~360nm)における高効率発光が可能であるため、紫外発光素子の材料として重要である。本研究では、AlGaN 系混晶半導体の高品質結晶成長技術を開拓し、短波長·高効率深紫外LED の開発を推進してきた。
机译:深紫外LED和半导体激光器(LDS)被认为是在各种领域应用,如医疗保健,净水,皮肤治疗和作物疾病预防,生化产业,树脂硬化成型,印刷,涂装,涂层等。预计会有大量的市场发展。由于基于algan的半导体可以具有高效率的紫外线波长(200至360nm),因此它们是紫外发光器件的材料。在这项研究中,我们开发了高质量的基于Algan的混合晶体半导体的晶体生长技术,并促进了短波长和高效率深紫色LED的开发。

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