陽電子消滅法で調べた中性子照射タングステン中の空孔クラスターへの重水素捕獲

摘要

タングステンは、水素同位体の溶解度が極めて低いことから有力な核融合炉プラズマ対向材料候補だが、最近、照射欠陥が存在すると水素同位体の滞留が増加することが分かってきた。これは、照射欠陥が水素同位体を捕獲するためとされるが、欠陥による水素同位体の捕獲を直接観察した例はあまり報告されていない。本研究では、中性子照射によって照射欠陥を導入したのちに重水素ガス雰囲気下で照射後焼鈍を行い、照射欠陥への重水素捕獲を陽電子消滅法で調べることを目的とする。