(P0111)Al_2O_3の炭素熱還元法における反応温度及び反応時間の影響

摘要

窒化アルミニウム（AlN）はAlGaN 系深紫外発光ダイオードの基板材料として期待されているが，その単結晶成長プロセスは未だ確立していない．筆者らはアルミナを原料とした炭素熱還元法によるAlN 単結晶の作製について研究している[1]．これは，アルミナの炭素還元により発生したAl 系ガス（Al_2O，Al）をN2(g)と反応させてAlN 単結晶を成長させる手法である．また，ジルコニアを添加した場合，その優先窒化によりアルミナ表面での窒化反応を抑制し，Al 系ガスの蒸発量が増大することを報告している[2]．本研究では，ジルコニアを添加したアルミナを原料として炭素熱還元を行い，蒸発挙動に対する反応温度や反応時間の影響を調査することを目的とした．