超並列電子線描画装置における電子光学系の小型化の検討

摘要

高解像度·高スループットのマスクレス並列パターンニングを目標とする超並列電子線描画装置（Massively Parallel Electron Beam Direct-Write：MPEBDW）の開発において、システムの構成要素であるナノシリコン電子源アレイ、電子源アレイ駆動用のアクティブマトリクスLSI、コンデンサレンズの各製作と評価をこれまでに行ってきた。図1は超並列電子線描画装置の縮小電子光学系を示している。縮小電子光学系は主にナノシリコン（nc-Si）電子源アレイ、コンデンサレンズアレイ、アノードアバーチヤアレイ、対物レンズから構成されている。ナノシリコン電子源アレイに集積されたアクティブマトリクスLSIは、描画パターン情報に従って電子源アレイを選択的にスイッチングし、適正電子ドーズ量がターゲット面に照射されるように駆動する。電子源アレイから放出された並列電子ビームはそれぞれコンデンサレンズアレイで収束され、開き角の小さいビームと成って対物レンズに入射する。