( P104-P0226) 垂直磁化を有する反強磁性結合膜の磁化過程

摘要

次世代メモリの一つであるスピン注入型磁気抵抗メモリ(STT-RAM)には記録素子として絶縁層を強磁性２層で挟む強磁性トンネル接合(MTJ)素子が用いられており，強磁性２層の磁化方向によって磁気抵抗(MR)が変化する．我々は垂直磁化，低抵抗(10 Ω·μm2) かつ高MR 比(248%)を示すMTJ を報告した[1]．この際，片方の強磁性層(フリー層)に反強磁性結合(SyAF：CoFeB / W / CoFeB)膜を用いることで，角型性の良い磁気抵抗曲線を得ている．しかしながら，垂直磁化を示すSyAF の磁気特性は不明である．本研究では，Landau-Lifshitz-Gilbert (LLG)マイクロマグネティックシミュレーターを用いることで，膜構成とその磁化過程の関係を明らかにすることを目的とした．