(P200-P0025)W 電極/GeCu2Te3 相変化材料間のコンタクト抵抗

摘要

相変化メモリは広範に普及しているフラッシュメモリと比較して、更なる微細化、低電圧動作、高速動作を期待できる[1]。データの記録はアモルファス相(高抵抗)-結晶相(低抵抗)の抵抗差を用いる。図1 に相変化メモリセルの模式図を示す。上部電極と下部電極間の相変化材料にns の電気パルスを印加すると、相変化領域が電流によるジュール熱で融点まで達し急冷されてアモルファス相となる。次に相変化材料が融点以下かつ結晶化温度以上になるように電気パルスを印加すると、相変化領域はアモルファス相から結晶相になる。