(P165-P0019)Sn めっきウィスカとめっき膜中の金属間化合物の成長の関係について坂本 佳紀富山高専

摘要

Sn は耐腐食性やはhだ付け性に優れているため多くの電子部品にめっきとして用いられてきた．しかし，Pb フリー化が進められ，再度Sn ウィスカの発生が問題となっている．Sn は融点が低いので室温近傍でも拡散が速いため，めっき膜中で金属間化合物を生成する．本研究では，拡散現象に注目して，ウィスカの発生原因はめっき膜中の金属間化合物が関係していると考え，ウィスカの発生と膜中に生成される金属間化合物の増加量の関係を明らかにすることを目的とした．また，一般にウィスカの抑制にリフローという熱処理が行われているが，この熱処理の条件と金属間化合物の増加量およびウィスカの発生の関係について検討した．