(S6.12-S0093)LSAT:(La0.3Sr0.7)(Al0.65Ta0.35)O3(001)単結晶基板の表面ステップテラス構造の形成

摘要

薄膜成長に用いられる基板結晶表面には、原子レベルで平坦なテラスを有するいわゆるステップテラス構造を形成させることが求められる。この表面構造の形成には、基板表面での物質拡散を利用する熱処理法がしばしば用いられている。しかしながら、この手法では基板結晶を高温において熱処理するために、表面での空孔形成や組成変化が生じやすいこと、また、熱処理温度などの処理条件の選定が難しいことなどいくつかの欠点が存在する。そのため、より簡便な表面制御技術の確立が期待されている。そこで本研究では、抵抗値を規定した純水による表面処理法の開発を試みた。GaNや高温超電導酸化物薄膜結晶の基板結晶として注目されている、LSAT((La0.3Sr0.7)(Al0.65Ta0.35)O3)単結晶基板をモデル結晶として、純水を用いた表面エッチングを行い、その有用性及び処理後の基板表面状態の評価を行った。