Silbergesinterte Flip-Chip-Kontaktierungen zur Realisierung von hochtemperaturfahigen Sensorsystemen

摘要

Das Ziel der vorliegenden Studie ist es ein Verstandnis zu erlangen fur Moglichkeiten und Grenzen bei der Anwendung der Silbersintertechnologie fur Flip-Chip-Kontaktierungen im Bereich der Hochtemperatursensorik. Im Rahmen dessen wird untersucht, wie feinstrukturiert der Auftrag von Silbersinterpasten auf Keramiken mit relativ rauen Dickschichtenmetallsierungen realisiert werden kann. Weiterhin wird untersucht, wie gut die Anbindung auf fur die Silbersintertechnologie eher unublichen AgPt- bzw. Cu-Dickschichtmetallisierungen ist und ob bspw. die in der Leistungselektronik typischen Sinterparameter auch zur Kontaktierung von Flip-Chips angewendet werden konnen. Auch auf die Frage, welchen Einfluss eine thermische Auslagerung bei 200°C auf silbergesinterte Strukturen haben kann, wird eingegangen.