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Erweiterungen und Anwendungen der BDRIE-Technologie zur Herstellung hermetisch gekapselter Sensoren mit hoher Gute

机译：BDRE技术的扩展和应用，为高良好的封装传感器生产的封闭传感器

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Dieser Artikel beschreibt technologische Weiterentwicklungen und Anwendungen der sogenannten BDRIE-Technologie (Bonding and Deep RIE) als Si-Si bzw. Si-Glas-Variante zur Herstellung praziser Sensoren und Aktuatoren. Die technologischen Weiterentwicklungen betreffen insbesondere die optionale Integration vertikal gestufter Elektroden, unterliegender metallischer Elektroden oder Verbindungleitungen, Atzschutzschichten und Dunnfilm-Getterschichten sowie die Realisierung von Durchkontaktierungen in Glassubstraten. Beispielhaft werden hermetisch gekapselte Inertialsensoren mit Resonatoren hoher Gute prasentiert.

机译：本文介绍了所谓的BDRE技术（粘合和深rie）作为Si-Si或Si玻璃变体的技术进步和应用，用于生产普拉克传感器和执行器。特别地，技术发展尤其涉及垂直阶梯电极，底层金属电极或连接线的可选集成，抗抗蚀剂层和DUNNFILM吸气层以及玻璃基板中的吞吐量的实现。举例来说，具有谐振器的气密封装的惯性传感器是高度存在的。

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来源
《MikroSystemTechnik Kongress》|2013年||共4页
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作者
K. Hiller; S. Hahn; M. Kuchler; D. Billep; R. Forke; D. Kohler; S. Konietzka; A. Pohle; T. Gessner;
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中图分类 TP2-53;
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机译：德国儿童和青少年医学学会（DGKJ）第112届年会摘要。与德国社会小儿科学会（DGSPJ）第68届年会德国小儿外科学会（DGKCH）第54届年会德国儿童护理协会（BeKD）第38届年会以及小儿胃肠病与营养学会（GPGE）第31届年会一起）
7. Ein Einheitliches Verfahren Zur Definition von Absolut- Und Bedingt-Konvergenten Integralen. VIII*)*)Bemerkungen zu VIIbis, § § 52–54: 1. Mit Theorem 62 folgt daß dieses Theorem, bei auf der Hand liegender Erweiterung der Definition der (PS)00-Integrale über i0 i.b.a. T, auch gilt für in i0 nur beschränkt vorausgesetzte Funktion f. 2. Der Satz von § 53 gilt auch für f nur beschränkt in i0. (Vergl. VIIbis, §50). 3. Korrektur. Der Wortlaut des Beweises von Theorem 63 (§ 54) bleibe ungeändert, jedoch bei Benutzung der unter 1. und 2. angegebenen Erweiterungen. [O] . Ridder J. 1967

机译：定义绝对和条件收敛积分的统一过程。 VIII *）*）关于VIIbis，第§52–54节的评论：1.利用定理62，可以得出这个定理，其中（PS）00积分的定义明显超出了i0i.b.a。 T也适用于仅在i0中被假定为有限程度的函数f。 2.第53节的句子在i0中仅在有限的范围内适用于f。（请参阅VIIbis，第50条）。 3.更正。定理63（第54节）的证明的措词保持不变，但是使用1和2下指定的扩展名时。

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