Dunnschichtstrukturierung metallorganischer Resinatpasten auf Glaswafern

摘要

Der fortlaufende Trend zu mehr intelligenten und komplexeren elektronischen Systemen erfordert mehr Miniaturisie-rung und die damit verbundene standig steigende Integrationsdichte der mikroelektronischen Schaltkreise. Feinstrukturierte Leitungen, hochauflosende Strukturen, Abstande und Kanten und feine Linien sind die Anforderungen an hochintegrierte Schaltkreise. In den letzten Jahren wurden viele fortschrittliche Technologien zur Erhohung der Integrationsdichte und somit die Verbesserung der Datenverarbeitungsfahigkeit entwickelt. Silizium-Interposer ist eine dieser Technoliegen. Die Dunnschichtfahigkeit des Siliziumsubstrats ermoglicht die Realisierung praziser und feiner Verdrahtung und Anbindung mehrerer aktiver Schaltkreise. Neben dem Siliziumsubstrat ist das Glassubstrat ein potentielles Material fur den Einsatz als Interposer in der Aufbau- und Verbindungstechnologie. Daruber hinaus offnen sich neue Perspektiven aufgrund der Glas-spezifischen Eigenschaften wie die optische Transparenz und die niedrigeren dielektrischen Verluste im Vergleich zu Silizium. Zur Strukturierung der Glasoberflache konnen spezielle dunn (0,1-1 μm) druckende Pasten, die so genannte Resinatpasten verwendet werden. Diese wird anhand des kostengunstigen Siebdruckverfahrens auf das Glas aufgebracht und fotolithographisch strukturiert. Anschliessend kann die Metallschicht galvanisch auf das erforderliche Schichtdicke verstarkt werden.