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放射光を用いたin-situ XPS による極薄GeO_2 表面の吸着水の観測

机译:用辐射通过原位XP观察超薄Geo_2表面的吸附水

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摘要

ゲルマニウム(Ge)は、電子·正孔共にシリコン(Si)よりも高い移動度を持つため、次世代トランジスタのチャネル材料として期待されている。ここで、Ge の酸化物であるGeO_2 は、Ge 系トランジスタを作製する上で鍵となる材料であり、GeO_2/Ge 界面が優れた電気的性質を有するとの報告もある。しかし、Si の酸化物であるSiO_2 とは異なり、GeO_2 は水溶性という特異な性質を有している。これは、水蒸気を有する大気に暴露することにより、GeO_2 の膜質が変化する可能性を示唆している。これまでにも、熱脱離分析法や二次イオン質量分析法、C-V 測定法により、大気暴露を経たGeO_2 の構造変化や不純物の混入による調査が行われているが、水蒸気/GeO_2 間の気固界面反応に関するより詳細な理解が望まれている。一般に、固体表面上には気相雰囲気中の湿度に応じて異なる厚さの吸着水が形成される。大気に暴露されたGeO_2 表面は、湿度に依存した吸着水を取り込み、これらの吸着水がGeO_2 の膜質に影響を与えると考えるのが自然である。したがって、各湿度においてGeO_2 表面上に吸着する水の厚さを調査することは、気(水蒸気を含有する気相)/固(GeO_2)界面反応を理解するための第一段階として極めて重要である。本研究では、相対湿度(Relative Humidity: RH)を制御した条件下において、放射光を用いてX 線光電子分光測定(X-ray photoelectron spectroscopy: XPS)を行った。そして、得られたXPS スペクトルを解析し、極薄GeO_2 表面の濡れ性を調査した。
机译:锗(Ge)有望作为下一代晶体管的沟道材料,因为电子和空穴具有比硅(Si)更高的迁移率。这里,GeO_2基,其为Ge的氧化物,是在其中基于Ge-晶体管产生的密钥材料,并且也有报告认为,GeO_2基/锗接口具有优良的电性能。然而,不同于SiO_2,这是Si的氧化物,GeO_2基具有水溶性的特定属性。这表明GeO_2基的膜质量通过曝光改变到与大气中的水蒸汽。到目前为止,GeO_2基的热脱附分析,二次离子质谱法,CV测定方法由GeO_2基的结构变化和混入杂质,但坚固的水蒸汽/ GeO_2基更详细的理解进行之后的结构变化剖反应是期望。一般情况下,被形成这取决于在气相气氛中的湿度在固体表面上不同厚度的被吸附的水。所述GeO_2基的暴露于大气的表面是天然掺入吸附水取决于湿度,并且这些吸附水影响GeO_2基的膜质量。因此,调查吸附在各湿度下的GeO_2基的表面上的水的厚度是非常重要的第一步了解空气(含水蒸气的气体相)/固(GeO_2基)界面反应。 RH:在本研究中,使用控制相对湿度的条件下辐射进行X射线光电子能谱(XPS)。然后,将得到的XPS光谱进行分析,超薄GeO_2基表面的润湿性进行了研究。

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