机译:1.55μm发射GaInNAs量子点的设计问题
机译:InAs / InAlGaAs / InP混合量子阱量子点结构的动态特性的控制,该结构设计为1.55μm发射激光器的有源部件
机译:在GaInNAs / GaAs量子阱中嵌入由InAsN量子点组成的增益介质的1.3μm发射激光器结构中能级的非接触电反射研究
机译:1.55发射GaInNAs量子点的驴子的设计问题
机译:全无机量子点发光二极管的设计,制作和表征
机译:1.55 µm InAs / GaAs量子点和高重复率量子点SESAM锁模激光器
机译:发射1.3μm左右的Inas量子点和GaInNas量子阱的辐射特性比较