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アクティブスクリーンプラズマ窒化装置による窒化処理挙動

机译:主动屏体等离子体氮化装置的氮化行为

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摘要

バイアス電流を増加させた場合、電流増加に対して窒化処理深さが大きくなった。また、X線回折測定では、低バイアス電流における窒化層には窒化物の回折ピークが現れず、バイアス電流を高くすると窒化物ピークが現れた。
机译:当偏置电流增加时,相对于增加,氮化处理深度增加。另外,在X射线衍射测量中,氮化物衍射峰不会出现在低偏置电流中的氮化物层中,并且当偏置电流增加时出现氮化物峰。

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