Indium arsenide; Antimony; Luminescence; Absorption; Spectroscopy;
机译:组成为梯度梯度的具有原生晶格参数的InAs_(1-x)Sb_x合金:结构和光学性质
机译:由MOVPE生长无意单一和双距ingASB / GASB量子孔的光致发光和结构性能
机译:气相中镓浓度对AP-MOVPE生长的InGaAsN合金成分的影响与其结构和光学性质的关系
机译:通过MOVPE生长的INAS_(0.94)SB_(0.06)合金的结构和发光性能
机译:Fe-Ni变异对Mn0.5Fe0.5 + XNI1-XSI0.94AL0.0.06和MN0.5FE0.5-XNI1 + XSI0.94AL0.06系统磁热性性能影响的研究
机译:001 c极化0.94Pb(Zn1 ∕ 3Nb2 ∕ 3)O3-0.06PbTiO3单晶的压电性能优化
机译:MOVPE生长的III-V半导体合金的光致发光性能与基准结构的关系