CMOS; FinFET; spin-on carbon; spin-on glass; implants; epitaxial growth;
机译:碳基可旋转有机硬掩模的亚50纳米纳米图案
机译:在硬掩模概念中引入氧化锆,用于对硅中的比例高的长宽比沟槽进行高度选择性的图案化
机译:在22 nm宽的超高长宽比Si沟槽中无空隙填充旋涂电介质
机译:使用旋转碳硬掩模在N10 / N7的高长宽比地形图上进行CMOS图案化
机译:CMOS传感器表面形貌在人类成人间充质干细胞的附着,增殖和分化中的重要性。
机译:随机纳米氮化钛晶粒引起的动态功率延迟的特性波动以及全能门纳米线CMOS器件和电路的纵横比效应
机译:基于富勒烯衍生物的旋转碳作为高纵横比蚀刻的硬掩模材料
机译:考虑地形和相关分析向上延续的方面估算贝尔重力梯度仪和辅助数据的重力矢量分量