机译:快速热退火诱导的多晶硅钝化钝化和伴有Czochralski和铸造多晶硅基材的钝化接触
机译:通过远程等离子体增强CVD和沉积后快速热退火制备的具有氮化的Si-SiO / sub 2 /界面的超薄氮化硅/氧化物堆叠栅极电介质的PMOSFET的性能和可靠性
机译:超高温下快速热氧化对切克劳斯基硅晶体中氧析出行为的影响II
机译:快速热退火和晶体性质对Czochralski硅栅极可靠性的综合作用
机译:一种深亚微米单栅极CMOS技术,使用通过快速热化学气相沉积形成的原位掺杂硼的多晶硅锗锗栅极
机译:碳化硅基体中硅纳米晶的快速热退火和结晶机理研究
机译:通过快速热退火预处理的锗掺杂Czochralski硅中热供体的增强形成
机译:具有sIpOs(半绝缘多晶硅)异质结发射极和离子注入快速热退火基区的高频硅双极晶体管