Sputtering; Thin film; Zirconium nitride (ZrN);
机译:N_2:(N_2 + Ar)的流量比和衬底温度对反应性直流磁控溅射制备氮化锆膜性能的影响
机译:(152462)通过直流反应磁控溅射制备的单相铟掺杂的氧化铜膜:基板温度对微观结构,光学和电气的影响
机译:直流反应磁控溅射制备的TiN薄膜的厚度依赖性微观结构和电学性能
机译:厚度对氮化锆薄膜的微观结构,电和光学性质在室温下DC反应磁控溅射制备的氮化锆薄膜
机译:非垂直入射反应磁控溅射制备的金属氮化物(氮化铝,氮化钛,氮化ha)薄膜的织构演变。
机译:射频磁控溅射制备(MgAl)共掺杂ZnO薄膜的光电性能研究与研究
机译:反应直流磁控溅射在高Ar流量下制备的氮化锆薄膜中的颜色变化