机译:N_2:(N_2 + Ar)的流量比和衬底温度对反应性直流磁控溅射制备氮化锆膜性能的影响
机译:N2 /(Ar + N2)流量比对直流反应溅射合成氮化锆薄膜的影响
机译:N _2气体流量对反应性直流磁控溅射制备氮化铜膜结构和性能的影响(会议论文)
机译:用反应性DC磁控溅射在高AR流速下制备的氮化锆薄膜中颜色的变化
机译:非垂直入射反应磁控溅射制备的金属氮化物(氮化铝,氮化钛,氮化ha)薄膜的织构演变。
机译:射频磁控溅射在不同N2 / Ar气体流量下生长的Zn3N2薄膜的XPS深度剖面分析
机译:通过脉冲DC反应磁控溅射制备的加热底物中亲水性TiO2膜的制备与表征