Top-coatless 193nm immersion resist; logic application; positive tone development contact hole; CD uniformity; contact edge roughness and defect;
机译:193nm阻性聚合物的分子量对负色显影过程的影响
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机译:PDMS的选择性蚀刻:用作正型抗蚀剂的蚀刻技术
机译:用于逻辑应用的无涂层193nm正色调显影沉浸抗蚀剂
机译:低成本直流电阻率计的人道主义地球物理应用的开发与验证
机译:采用纯CMOS逻辑工艺的具有自抑制电阻切换负载的RRAM集成4T SRAM
机译:开发用于193nm浸没式光刻的高折射率抗蚀剂
机译:氨基二硅烷作为甲硅烷基化剂,用于干法显影的正极性抗蚀剂,用于极紫外(13.5)微光刻