机译:1.2-KV立式GaN Fin-JFET:高温特性和雪崩功能
机译:选择性区域再生生长的基于GaN的垂直沟道JFET的演示
机译:低
机译:使用体氮化镓的1000V垂直JFET
机译:GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征= GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征
机译:垂直GaN-on-GaN肖特基二极管作为α粒子辐射传感器
机译:si上的增强型金属 - 绝缘体 - 半导体GaN / alInN / GaN异质结构场效应晶体管,阈值电压为+ 3.0V,阻断电压高于1000V
机译:FY2016体积GaN衬底上垂直氮化镓功率肖特基二极管的制备与表征。