机译:面向未来的重点:毫米波射频功率应用的紧密材料组合:InP HBT SiGe BiCMOS异质晶圆级集成
机译:使用单能正电子束探测的GaN模板上生长的In_xGa_(1-x)N中的空位类型缺陷
机译:超越CMOS:III-V器件,RF MEMS和其他异种材料/器件与Si CMOS的异构集成,以创建智能微系统
机译:Si模板上Ge和In_xGa_(1-x)As的材料集成,用于下一代CMOS应用
机译:III-V材料与Si CMOS的“结级”异质集成,用于新型非对称场效应晶体管。
机译:超越CMOS:III-V器件RF MEMS和其他异种材料/器件与Si CMOS的异构集成以创建智能微系统
机译:超越CMOS:III-V设备的异构集成,RF MEMS和其他不同材料/设备与SI CMOS创建智能微系统