InGaN quantum well laser; cavity length; optical properties; numerical simulation;
机译:使用条状DQW有源区改善深紫InGaN DQW激光器的性能特性
机译:具有InGaN / GaN超晶格波导层的深紫色InGaN DQW激光二极管的性能特征
机译:AlInGaN四元多量子势垒电子阻挡层的深紫InGaN DQW激光二极管性能特性的数值研究
机译:腔长对深紫色Ingan DQW激光光学特性的影响
机译:蓝光发射器和垂直腔激光器的InGaN异质结构的光学表征:效率和重组动力学。
机译:由1.3 ...垂直腔表面发射激光器驱动的扫频光学相干断层扫描能够在小鼠体内进行2.3毫米深的大脑成像
机译:短腔IngaN的激光二极管,腔长度低于300μm
机译:具有来自非圆形光学腔的定向发射的p-N结二极管紫外激光器用于生物传感