electron spin resonance; intrinsic defects; low pressure chemical vapor deposition; semi-insulating 4H-SiC;
机译:〜(51)V离子注入4H-SiC期间的有意和无意沟道
机译:4H-SIC植入p掺杂剂期间的故意和无意的窜
机译:意外掺杂4H-SiC的退火时间与固有缺陷的关系
机译:注入Si离子的无意掺杂4H-SiC的ESR特性
机译:离子注入引起的硼掺杂硅瞬态失活和扩散过程的物理学和建模。
机译:具有重掺杂区域的新型4H-SiC MESFET轻微掺杂的区域和绝缘区域
机译:在植入51V离子进入4H-SiC期间故意和无意的窜流
机译:调制掺杂场效应晶体管中阈值电压的强反演模型:无意识接受器的作用。