机译:采用高k栅极电介质/金属栅极堆叠的覆盖层的厚度和材料对平坦带电压(V_(FB))和等效氧化物厚度(EOT)的依赖性,适用于先栅工艺应用
机译:先栅极后栅极工艺对使用原子层沉积Al_2O_3和HfO_2氧化物的In_(0.53)Ga_(0.47)As金属氧化物半导体电容器的界面质量的影响
机译:基于非平衡格林函数形式主义的多层高κ介电层金属-绝缘子-金属电容器的栅极隧穿电流模拟
机译:在先栅极/后栅极集成中将介电帽盖层插入高κ金属栅极堆叠中的现象
机译:通过原子层沉积进行金属栅/高k电介质堆叠工程:材料问题和电性能。
机译:通过使用堆叠技术并添加足够的界面层来提高高κ电介质的击穿耐久性
机译:宽带隙高k Y2 O3作为钝化中间层,用于增强具有高k HfTiO栅极电介质的n-Ge金属氧化物半导体电容器的电性能和高场可靠性