ab-initio calculation; diluted magnetic semiconductor; GaN; transition metals; magnetic property;
机译:3d过渡金属掺杂GaN磁性结构的第一原理计算
机译:通过掺杂3D过渡金属调整二维Mote2单层的磁性特性:第一个原理计算的见解
机译:掺杂3d过渡金属的GaN纳米片的结构,电子和磁性性质:第一性原理研究
机译:掺杂GaN的3D过渡金属磁结构的第一原理计算
机译:金属卟啉系统及其衍生物的电子和磁性结构:第一性原理计算。
机译:由3D过渡金属掺杂引起的五角形PdSe2的自旋极化特性:第一性原理计算
机译:三维过渡金属掺杂GaN磁结构的第一性原理计算
机译:掺杂过渡金属离子的ZnO / mgO和GaN / alN量子结构中自旋电子器件的波函数工程