【24h】

Enhanced NQS lauritzen diode model

机译:增强的NQS Lauritzen二极管模型

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摘要

This paper deals with enhancement of a PN diode standard model towards including substrate PN junction, and reverse recovery effect models. This leads to improvement in power management, EMC and switching application design.
机译:本文涉及增强PN二极管标准模型朝向包括基板PN结和反恢复效果模型的增强。这导致电源管理,EMC和交换应用设计的改进。

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